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機構主頁 > 培訓資料>嵌入式開發(fā)的兩點錯誤觀念你有嗎

嵌入式開發(fā)的兩點錯誤觀念你有嗎

來源:廣州達內教育        時間:2023-05-30        熱度:40℃        返回列表

      這么多年來,嵌入式的發(fā)展已經從無人問津到無人不曉了,這么多年來嵌入式的發(fā)展是不斷的創(chuàng)新高的。小到我們生活中的小物品,大到現(xiàn)在的航空母艦,嵌入式現(xiàn)在不管是可以運用到很多的行業(yè)中的,那么在用嵌入式開發(fā)的時候有什么樣的觀念是錯誤的呢?下面達內科技的小編就給大家指出兩點:

  一、差異化的多晶硅浮柵嵌入式閃存


  多年來,大多數(shù)IDM都在為需要嵌入式閃存的應用使用類似的1T多晶硅浮柵堆疊解決方案。在過去二十年間,創(chuàng)新型分離柵極SuperFlash?技術憑借其差異化且高效的多晶硅間擦除和源極注入編程存儲單元,不斷推動行業(yè)向前發(fā)展。


  二、嵌入式閃存解決方案可以節(jié)省時間和金錢


  大多數(shù)時候都是一分價錢一分貨。從表面上來看,與基于電荷陷阱的解決方案(如SONOS)相比,多晶硅浮柵嵌入式閃存解決方案似乎更為昂貴,這是因為與基于電荷陷阱的嵌入式非易失性存儲器解決方案相比,多晶硅浮柵嵌入式閃存通常需要更多的屏蔽步驟。然而,芯片設計人員應該仔細考慮非易失性解決方案的總成本,包括潛在的產量損失、由于現(xiàn)場返貨造成的損耗、長期數(shù)據(jù)保留、包括ECC和所需冗余電路在內的總芯片尺寸以及生產時間。此外,基于電荷陷阱的解決方案不適用于高溫和高耐用性應用,因此如果非易失性存儲器平臺需要滿足一系列低端和高端應用的需求,則更需要可滿足所有應用需求的非易失性存儲器解決方案,這些應用對電壓、工作溫度,數(shù)據(jù)保留和耐用性的要求有所不同。為一個技術節(jié)點應用多個非易失性平臺比應用可靠的基于多晶硅浮柵的非易失性存儲器解決方案要貴得多。


  這兩點嵌入式開發(fā)的錯誤觀念雖然說不上是非常致命的錯誤,但是如果說活可以避免的話那么在開發(fā)的時候肯定可以更加的順利了。如果說你想要學習嵌入式技術的話,那么你可以點擊我們文章下面的獲取試聽資格按鈕來獲取下我們的嵌入式課程免費試聽資格,在試聽中可以了解下我們嵌入式的課程,也可以和我們的講師進行面對面的交流和互動,在了解了我們達內科技之后相信你會有興趣加入我們的嵌入式培訓班的。

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